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4009998755氮化鎵是一種新型半導體材料,具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強度和高硬度等特性,在早期廣泛運用于新能源汽車、軌道交通、智能電網、半導體照明、新一代移動通信,被譽為第三代半導體材料。隨著技術突破成本得到控制,目前氮化鎵還被廣泛運用到消費類電子等領域,充電器便是其中一項。簡單的說,氮化鎵擁有更寬的帶隙,寬帶隙也意味著,氮化鎵能比硅承受更高的電壓,擁有更好的導電能力,相同體積下,采用氮化鎵技術的充電器比普通充電器輸出效率更高。打個比方說,采用氮化鎵材料做出來的充電頭,體積和蘋果5W充電器差不多大小的情況下,能實現更多的輸出功率